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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSC026N02KSGAUMA1

BSC026N02KSGAUMA1

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Numero de parte
BSC026N02KSGAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSC026N02KSGAUMA1.pdf
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Numero de parte
BSC026N02KSGAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
25A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
52.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7800pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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