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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

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Numero de parte
SI5905DC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI5905DC-T1-E3.pdf
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Numero de parte
SI5905DC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
1.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™

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