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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1

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Numero de parte
IPN80R1K2P7ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
COOLMOS P7 800V SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPN80R1K2P7ATMA1.pdf
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Numero de parte
IPN80R1K2P7ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
COOLMOS P7 800V SOT-223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 80µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
300pF @ 500V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
6.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-3

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