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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RTM002P02T2L

RTM002P02T2L

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Numero de parte
RTM002P02T2L
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RTM002P02T2L.pdf
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Numero de parte
RTM002P02T2L
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
50pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
VMT3
Paquete / Caja
SOT-723

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