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NRVBM110LT3G

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Numero de parte
NRVBM110LT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.14630
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$0.14630

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Numero de parte
NRVBM110LT3G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
10V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
415mV @ 2A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr
500µA @ 10V
Capacitancia a Vr, F
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
DO-216AA
Paquete del dispositivo del proveedor
Powermite
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 125°C

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