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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1

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Numero de parte
BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSZ180P03NS3EGATMA1.pdf
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Numero de parte
BSZ180P03NS3EGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9A (Ta), 39.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2220pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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