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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF8327STR1PBF

IRF8327STR1PBF

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Numero de parte
IRF8327STR1PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF8327STR1PBF.pdf
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Numero de parte
IRF8327STR1PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 14A SQ
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
14A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1430pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SQ

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