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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TN5335N8-G

TN5335N8-G

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Numero de parte
TN5335N8-G
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TN5335N8-G
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
350V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
230mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
110pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-243AA (SOT-89)
Paquete / Caja
TO-243AA

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