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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

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Numero de parte
SI3460BDV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI3460BDV-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI3460BDV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
860pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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