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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDMS86320

FDMS86320

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Numero de parte
FDMS86320
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMS86320.pdf
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Numero de parte
FDMS86320
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10.5A (Ta), 22A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.7 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2640pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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