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3LN01M-TL-E

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Numero de parte
3LN01M-TL-E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 0.15A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
3LN01M-TL-E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 0.15A
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
150mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.58nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-70/MCPH3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323

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