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SI5504BDC-T1-E3

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Numero de parte
SI5504BDC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.44660
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Numero de parte
SI5504BDC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
220pF @ 15V
Potencia - max
3.12W, 3.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor
1206-8 ChipFET™

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