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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDMS86150ET100

FDMS86150ET100

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Numero de parte
FDMS86150ET100
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMS86150ET100.pdf
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Numero de parte
FDMS86150ET100
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Ta), 128A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.85 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4065pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Power56
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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