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MMIX1F44N100Q3

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Numero de parte
MMIX1F44N100Q3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 30A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
MMIX1F44N100Q3.pdf
Total:$36.33000
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$36.33000

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Numero de parte
MMIX1F44N100Q3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 30A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
245 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
264nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
13600pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
24-SMPD
Paquete / Caja
24-PowerSMD, 21 Leads

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