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FDMS86101DC

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Numero de parte
FDMS86101DC
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$1.74931
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$1.74931

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Numero de parte
FDMS86101DC
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
14.5A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3135pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Dual Cool™56
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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