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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Solo 2SB1457(TE6,F,M)

2SB1457(TE6,F,M)

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Numero de parte
2SB1457(TE6,F,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
2SB1457(TE6,F,M).pdf
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Numero de parte
2SB1457(TE6,F,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1mA, 1A
Corriente - Corte del colector (Máx.)
10µA (ICBO)
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 1A, 2V
Potencia - max
900mW
Frecuencia - Transición
50MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92MOD

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