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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXRFSM12N100

IXRFSM12N100

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Numero de parte
IXRFSM12N100
Fabricante
IXYS RF/Littelfuse
Descripción
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$24.72000
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$24.72000

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Numero de parte
IXRFSM12N100
Fabricante
IXYS RF/Littelfuse
Descripción
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2875pF @ 800V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
940W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
16-SMPD
Paquete / Caja
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

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