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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

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Numero de parte
IXFN82N60Q3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFN82N60Q3.pdf
Total:$43.16000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$43.16000

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Numero de parte
IXFN82N60Q3
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
66A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
275nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
13500pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC

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