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IPS65R1K0CEAKMA1

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Numero de parte
IPS65R1K0CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPS65R1K0CEAKMA1.pdf
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Numero de parte
IPS65R1K0CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
328pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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