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FDD850N10LD

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Numero de parte
FDD850N10LD
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDD850N10LD.pdf
Total:$0.51898
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Numero de parte
FDD850N10LD
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
15.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1465pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252-4L
Paquete / Caja
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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