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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSS119NH6327XTSA1

BSS119NH6327XTSA1

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Numero de parte
BSS119NH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSS119NH6327XTSA1.pdf
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Numero de parte
BSS119NH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
190mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 13µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20.9pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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