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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19533Q5AT

CSD19533Q5AT

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Numero de parte
CSD19533Q5AT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19533Q5AT.pdf
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Numero de parte
CSD19533Q5AT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2670pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.2W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSONP (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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