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SCT3105KLGC11

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Numero de parte
SCT3105KLGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$17.78000
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$17.78000

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Numero de parte
SCT3105KLGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
137 mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.81mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 18V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
574pF @ 800V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
134W
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247N
Paquete / Caja
TO-247-3

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