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RN1910FE(T5L,F,T)

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Numero de parte
RN1910FE(T5L,F,T)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
RN1910FE(T5L,F,T)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (Máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - max
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor
ES6

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