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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTTFS4939NTWG

NTTFS4939NTWG

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Numero de parte
NTTFS4939NTWG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.72930
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Numero de parte
NTTFS4939NTWG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.9A (Ta), 52A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1979pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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