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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

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Numero de parte
RS1G260MNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
RS1G260MNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
26A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2988pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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