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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDB3860

FDB3860

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Numero de parte
FDB3860
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDB3860.pdf
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Numero de parte
FDB3860
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.4A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1740pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AB
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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