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RGT8NS65DGTL

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Numero de parte
RGT8NS65DGTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
RGT8NS65DGTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Estado de la pieza
Active
Tipo IGBT
Trench Field Stop
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
650V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
8A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Potencia - max
65W
Energía de conmutación
-
Tipo de entrada
Standard
Carga de la puerta
13.5nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C
17ns/69ns
Condición de prueba
400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inverso (trr)
40ns
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor
LPDS (TO-263S)

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