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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPZ60R099C7XKSA1

IPZ60R099C7XKSA1

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Numero de parte
IPZ60R099C7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPZ60R099C7XKSA1.pdf
Total:$7.48000
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$7.48000

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Numero de parte
IPZ60R099C7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
22A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1819pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4
Paquete / Caja
TO-247-4

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