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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PSMN3R0-60ES,127

PSMN3R0-60ES,127

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Numero de parte
PSMN3R0-60ES,127
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PSMN3R0-60ES,127.pdf
Total:$2.37000
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$2.37000

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Numero de parte
PSMN3R0-60ES,127
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8079pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
306W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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