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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI1443EDH-T1-GE3

SI1443EDH-T1-GE3

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Numero de parte
SI1443EDH-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI1443EDH-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI1443EDH-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-363
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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