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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMS3015SSS-13

DMS3015SSS-13

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Numero de parte
DMS3015SSS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMS3015SSS-13.pdf
Total:$0.18098
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Numero de parte
DMS3015SSS-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30.6nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1276pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)
1.55W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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