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NDDL01N60Z-1G

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Numero de parte
NDDL01N60Z-1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NDDL01N60Z-1G.pdf
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Numero de parte
NDDL01N60Z-1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
800mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
92pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
IPAK (TO-251)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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