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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHB108NQ03LT,118

PHB108NQ03LT,118

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Numero de parte
PHB108NQ03LT,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PHB108NQ03LT,118
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
75A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1375pF @ 12V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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