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DS1250W-100IND

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Numero de parte
DS1250W-100IND
Fabricante
Maxim Integrated
Descripción
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DS1250W-100IND.pdf
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Numero de parte
DS1250W-100IND
Fabricante
Maxim Integrated
Descripción
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de memoria
NVSRAM
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria
4Mb (512K x 8)
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
100ns
Tiempo de acceso
100ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
32-EDIP

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