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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

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Numero de parte
RDN150N20FU6
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RDN150N20FU6.pdf
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Numero de parte
RDN150N20FU6
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
15A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1224pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FN
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack

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