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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PMV35EPER

PMV35EPER

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Numero de parte
PMV35EPER
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
PMV35EPER.pdf
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Numero de parte
PMV35EPER
Fabricante
Nexperia
Descripción
MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
793pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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