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S1JHR3G

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Numero de parte
S1JHR3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
S1JHR3G.pdf
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Numero de parte
S1JHR3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.1V @ 1A
Velocidad
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
1.5µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr
1µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F
12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
DO-214AC, SMA
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 175°C

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