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RUC002N05HZGT116

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Numero de parte
RUC002N05HZGT116
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RUC002N05HZGT116.pdf
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Numero de parte
RUC002N05HZGT116
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
1.2V DRIVE NCH MOSFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
25pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SST3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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