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SIHD1K4N60E-GE3

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Numero de parte
SIHD1K4N60E-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH DPAK TO-252
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIHD1K4N60E-GE3.pdf
Total:$1.32000
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$1.32000

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Numero de parte
SIHD1K4N60E-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH DPAK TO-252
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
172pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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