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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIE810DF-T1-GE3

SIE810DF-T1-GE3

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Numero de parte
SIE810DF-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIE810DF-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIE810DF-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
13000pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
10-PolarPAK® (L)
Paquete / Caja
10-PolarPAK® (L)

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