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IXDN430MYI

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Numero de parte
IXDN430MYI
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXDN430MYI.pdf
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Numero de parte
IXDN430MYI
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
IC MOSFET/IGBT DRIVER TO-263
Estado de la pieza
Obsolete
Configuración dirigida
Low-Side
Tipo de canal
Single
Número de conductores
1
Tipo de puerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Suministro de voltaje
8.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero)
30A, 30A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap)
-
Tiempo de subida / caída (tipo)
18ns, 16ns
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D²Pak)

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