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MBR600100CT

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Numero de parte
MBR600100CT
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
MBR600100CT.pdf
Total:$96.34800
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$96.34800

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Numero de parte
MBR600100CT
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Estado de la pieza
Active
Configuración de diodo
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo
Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
100V
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo)
300A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
880mV @ 300A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr
1mA @ 20V
Temperatura de funcionamiento - Unión
-
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Twin Tower
Paquete del dispositivo del proveedor
Twin Tower

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