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NJVMJD112T4G

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Numero de parte
NJVMJD112T4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.31820
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Numero de parte
NJVMJD112T4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
NPN - Darlington
Corriente - Colector (Ic) (Max)
2A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
100V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Corriente - Corte del colector (Máx.)
20µA
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Potencia - max
20W
Frecuencia - Transición
25MHz
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK

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