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FDMC612PZ

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Numero de parte
FDMC612PZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 8-MLP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMC612PZ.pdf
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Numero de parte
FDMC612PZ
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 8-MLP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
14A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7995pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.3W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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