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IPS70R2K0CEAKMA1

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Numero de parte
IPS70R2K0CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET NCH 700V 4A TO251
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPS70R2K0CEAKMA1.pdf
Total:$0.78000
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$0.78000

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Numero de parte
IPS70R2K0CEAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET NCH 700V 4A TO251
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
163pF @ 100V
Característica FET
Super Junction
Disipación de potencia (max)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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