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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDMS003N08C

FDMS003N08C

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Numero de parte
FDMS003N08C
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
FET ENGR DEV-NOT REL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$3.20031
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$3.20031

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Numero de parte
FDMS003N08C
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
FET ENGR DEV-NOT REL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
22A (Ta), 147A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5350pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.7W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Power56
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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