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RN1112ACT(TPL3)

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Numero de parte
RN1112ACT(TPL3)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
RN1112ACT(TPL3)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Estado de la pieza
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Max)
80mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (Máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
-
Potencia - max
100mW
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SC-101, SOT-883
Paquete del dispositivo del proveedor
CST3

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