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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB015N08N5ATMA1

IPB015N08N5ATMA1

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Numero de parte
IPB015N08N5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB015N08N5ATMA1.pdf
Total:$3.51628
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$3.51628

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Numero de parte
IPB015N08N5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 279µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
222nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
16900pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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