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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD17318Q2

CSD17318Q2

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Numero de parte
CSD17318Q2
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
30V N CH MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD17318Q2.pdf
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$0.17360

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Numero de parte
CSD17318Q2
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
30V N CH MOSFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
879pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
16W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WSON (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad

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